Наиболее устойчивыми к ИИ являются металлы.
Им свойственна высокая концентрация свободных носителей заряда, а характеристики слабо зависят от дефектов. При высоких дозах ИИ у металлов возрастает пластичность (текучесть) Наиболее радиационно-стойкими являются электротехнические стали и магнитные материалы. Некоторые металлы, такие как цинк, кобальт, марганец, при облучении могут быть источниками вторичного излучения. Это связано с физико-химической структурой материалов.
Наиболее уязвимы к ИИ – органика и полупроводники. У полупроводниковых материалов изменяется время жизни носителей зарядов и их подвижность. У органических материалов изменяются механические свойства – изменяется текучесть, изменяется тангенс угла диэлектрических потерь и диэлектрическая проницаемость.
Влияние ИИ на резисторы
При воздействии на резисторы могут возникать как обратимые, так и необратимые изменения сопротивления. Может увеличиваться уровень шумов и улучшаться влагостойкость материала. Основные причины выхода из строя резисторов – деградация электрофизических характеристик резистивного или влагоустойчивого материала. Гамма-излучение как правило вызывает обратимые изменения. При воздействии поля его резистивность уменьшается, но при снятии поля его характеристики восстанавливаются. Наиболее устойчивыми к ИИ являются керамические и проволочные резисторы. Наименее устойчивые – органические и плёночные.
Резисторы серии VPG Foil Resistors для космических применений
http://icquest.ru/news/1-novosti/2018/560-sverkhvysokotochnye-rezistory-serii-303337-kompanii-vpg-foil-resistors-dlya-kosmicheskikh-primeneniy
Эксплуатационные факторы и старение резисторов
http://reom.ru/stati/303/
Влияние ИИ на конденсаторы
Основное влияние – преобразования в структуре диэлектрика, ионизация диэлектриков и выделение газов.
Наиболее стойкие к излучению конденсаторы с неорганическим диэлектриком:
- керамические;
- стеклоэмалевые;
- слюдяные.
Время восстановления для таких конденсаторов менее двух часов. Конденсаторы с органическим диэлектриком (бумажные, полистироловые) обладают пониженной устойчивостью к излучению. Причиной этого является разложение полимерных материалов. Время восстановления составляет 200-300ч (причём восстановление не полное). Электролитические конденсаторы при облучении ненадёжны, отмечаются случаи разгерметизации и разложения электролита.
Наиболее устойчивые из тонкоплёночных – конденсаторы на основе Al2O3.
Kemet выпустила электролитические конденсаторы космического назначения
http://www.zolshar.ru/article/877
Обзор конденсаторов производителя Vishay: от игрушки до космоса
https://www.compel.ru/lib/54358
Влияние ИИ на полупроводники
Излучение, взаимодействуя с твердым телом, вызывает ионизацию и смешение атомов решетки, изменяя тем самым структурные и электрофизические свойства материала, приводящие к изменению параметров полупроводниковых приборов. К структурным нарушениям в первую очередь относится образование первичных радиационных дефектов типа пар Френкеля (вакансия и междоузельный атом ) в кристаллической решетке в результате упругого столкновения движущейся частицы с ядром атома или с атомом вещества; возможно также образование первичных дефектов в виде дивакансий.
Вакансии и выбитые атомы могут перемещаться по твердому телу и приводить к образованию вторичных дефектов при взаимодействии друг с другом и с дефектами, существующими до облучения (А-, Е-центры, дивакансии и др.)
Более детально вопросы рассматриваются в приведенных ниже материалах. Если вопрос представляет интерес – очень советую посмотреть список литературы.
Попович А. Топологическая норма и радиационная стойкость // Компоненты и Технологии. 2010. №110. URL: https://cyberleninka.ru/article/n/topologicheskaya-norma-i-radiatsionnaya-stoykost (дата обращения: 21.05.2020).
Разработка топологической конструкции КНИ КМОП транзистора для проектирования СБИС специального назначения
Молодежный научно-технический вестник # 12, декабрь 2013
УДК: 621.382
http://ainsnt.ru/doc/640447.html (дата обращения: 21.05.2020)
Влияние ИИ на интегральные микросхемы
Действие излучения проявляется в обратимых нарушениях работоспособности, вызванных ионизационными эффектами, и в необратимой деградации параметров (истощение плёнок, диффузия, миграция атомов плёнок). Причина нарушения: изменение параметров у входящих в микросхему элементов, повреждения межсоединений, ухудшение качества изоляции.
Конструктивно-технологические методы повышения стойкости:
– Создание надёжной изоляции.
– Использование радиационно-стойких проводящих и диэлектрических пассивирующих материалов (оксидные плёнки, стойкие к излучению).
– Ослабление излучения за счёт рационального выбора конструкции корпуса и применения материалов, поглощающих энергию излучения (Однако, энергия некоторых частиц в космическом пространстве может превышать предел Грайзена — Зацепина — Кузьмина и составлять около 50 Дж, что позволяет частице пробивать любую, защиту адекватных размеров).
– Эффект сверхглубокого проникания частицами с размером до сотен микрон.
Влияние ИИ на волокно
Влияние ионизирующего излучения на волоконные стекла очень сложно и весьма сильно. Под его воздействием разрушаются химические связи, образующие матрицу стекла, в результате чего создаются новые уровни энергии электрона, донорные или акцепторные, и между ними становятся возможными электронные переходы. Многие из этих переходов создают потери в видимой и ближней инфракрасной области спектра.
При малых дозах облучения наведенные ионизирующим излучением потери прямо пропорциональны дозе. Однако чувствительность к радиации у различных волокон разная и колеблется от 0,1 до 10 (дБ/км)/рад.
Немного более детально вопрос рассматривается в материале Оптические системы связи (Гауэр Дж., 1989), § 3.2, стр.83
Производители OFS и J-fiber приводят дозы, которыми облучали волокна. Также производитель OFS и Nufern приводят графики затухания при облучении разными дозами в сравнении со стандартными волокнами (SMF28) и волокнами Z-plus.
Радиационно-стойкие легированные волокна (Специальные системы фотоника)
https://sphotonics.ru/catalog/radiatsionno-stoykie-legirovannye-volokna/
Радиационно-стойкое волокно (DrakaElite RadHard Fibres)
http://tdvniikp.ru/page/production/catalog/materials/OpticalFiber/catalog/specialties/radhard
Статья сравнение и российские аналоги
https://oessp.ru/articles/Obzor-radiatsionno-stoykih-volokon-ot-zarubezhnih-i-otechestvennih-proizvoditeley/
Фотодиоды для рад. окружения
http://applphys.orion-ir.ru/appl-99/99-3/99-3-28r.htm
Название | Описание | Производитель | Ссылка |
---|---|---|---|
Микроконтроллеры | |||
1986ВЕ8Т | 32-разрядный RISC-микроконтроллер на базе процессорного ядра ARM Cortex-M4F. | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/mikrokontrollery_i_protsessory/32_razryadnye_mikrokontrollery/1986ve8kh_yadro_arm_cortex_m4f/1986ve8t/ |
1923ВК014 | специализированный контроллер внешней памяти и набора периферии на базе микропроцессорного ядра ARM Cortex-M0 | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/mikrokontrollery_i_protsessory/32_razryadnye_mikrokontrollery/1923vk014/ |
1830ВЕ32АУ | 8-разрядный микроконтроллер без ПЗУ | «НИИЭТ» | https://niiet.ru/product/id35 |
1867ВМ2 (ТМS320C25) | 16-разрядный цифровой сигнальный процессор | «НИИЭТ» | https://niiet.ru/product/id39 |
1874ВЕ10Т | 16-разрядный микроконтроллер с многоканальным АЦП, | «НИИЭТ» | https://etpgpb.ru/catalog/products/1685531-mikroshema-radiatsionno-stoykiy-16-razryadnyy-mikrokontroller-s-mnogokanalnym-atsp-interfeysami-gost-r-52070-2003-spacewire-jtag-i-funktsiey-obnaruzheniya-i-ispravleniya-oshibok-vneshney-pamyati-1874ve10t-ao-niiet-rossiya/ |
1867BМ9Ф | 32-разрядный микропроцессор с фиксированной и плавающей запятой | «НИИЭТ» | https://niiet.ru/product/obr6 |
1874ВЕ05Т | 16–разрядный микроконтроллер без ПЗУ и АЦП | «НИИЭТ» | https://niiet.ru/product/id36 |
1874ВЕ7Т / 1874ВЕ71Т | 16-разрядный микроконтроллер | «НИИЭТ» | https://niiet.ru/product/brandnew/id38 |
1880ВЕ1У | 8-разрядный микроконтроллер с системой команд MCS-51 с 8-разрядным АЦП | Интеграл | https://integral.by/ru/products/mikrokontrollery-i-supervizory-pitaniya-serii-1880-1881-588-1345-5518ap1tbm/1880ve1u |
1881ВГ4Т | 8-разрядный микроконтроллер с RISC-архитектурой, встроенным ЭСППЗУ и FLASH-памятью с функцией защиты от несанкционированного доступа | Интеграл | https://integral.by/ru/products/mikrokontrollery-i-supervizory-pitaniya-serii-1880-1881-588-1345-5518ap1tbm/1881vg4t |
1892ВМ8Я | DSP процессор | АО НПЦ «ЭЛВИС» | http://multicore.ru/index.php?id=658 |
1892ВМ12АТ | MIPS32-совместимый процессор | АО НПЦ «ЭЛВИС» | http://multicore.ru/index.php?id=1343 |
1892ВМ15АФ | MIPS32-совместимый процессор с 32/64-разрядным акселератором плавающей точки (FPU) | АО НПЦ «ЭЛВИС» | http://multicore.ru/index.php?id=1340 |
5890ВМ1Т | 32-х разрядный микропроцессор для построения резервируемых отказоустойчивых вычислительных систем | НИИСИ РАН | https://www.niisi.ru/devel.htm |
5890ВЕ1Т | 32-разрядная система на кристалле | НИИСИ РАН | https://www.niisi.ru/devel.htm |
1900ВМ2Т | Троированный микропроцессор | НИИСИ РАН | https://www.niisi.ru/devel.htm |
5890ВГ1Т | Интерфейсный контроллер | НИИСИ РАН | https://www.niisi.ru/devel.htm |
1907ВМ028 | 64-разрядный микропроцессор | НИИСИ РАН | https://www.niisi.ru/devel.htm |
1907ВМ038 | 32-разрядный микропроцессор | НИИСИ РАН | https://www.niisi.ru/devel.htm |
1907ВМ044 | 32-разрядный микропроцессор | НИИСИ РАН | https://www.niisi.ru/devel.htm |
1907ВМ014 | 32-разрядный микропроцессор, 100 МГц, процесс 250 нм. | НИИСИ РАН | https://www.niisi.ru/devel.htm |
1906BМ016 | 32-разрядный микропроцессор на базе ядра LEON4 | «НИИЭТ» | https://niiet.ru/product/brandnew/obr12 |
5512БП2Ф | полузаказная СБИС | НТЦ "Модуль | https://www.mri-progress.ru/products/bis-i-sbis/sbis-snk/sbis-s-mp-yadrom-snk-almaz-9/ |
AtmegaS64M1? | 8-бит микроконтроллер megaAVR | Microchip | https://www.kit-e.ru/news/microchip_09_01_18.php |
микропроцессор «Спутник». | 32-х разрядный микропроцессор | Ангстрем | http://www.angstrem.ru/ru/press-centre/news/angstrem-razrabotal-komplekt-sovremennyh-radiacionno-stoykih-mikroshem-dlya |
ПЛИС | |||
1451БК2У | БИС цифро-аналогового базового матричного кристалла | Интеграл | https://integral.by/ru/products/bmk-i-plis/1451bk2u |
5400ТР035 | ПАИС | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/pais/art/1598 |
5400ТР014 | Аналого-цифровые базовые матричные кристаллы | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/ad-bmk/art/1584 |
серия 5524 | БМК | Ангстрем | http://www.technounity.ru/uchastniki/produkty/seriya-kmop-integralnykh-skhem-5524bts2-3-t1-t3-u1-u2-u3-u4-realizovannaya-na-bystrodeystvuyushchem-/ |
RTSX-S, RTAX-S/SL, RTAX-DSP, RT ProASIC3, RTG4 | FPGA? | Microsemi | https://actel.ru/rubric/radiacionno-stojkie-plis |
Virtex-5QV | FPGA? | Xilinx? | http://fpga.su/radiatsionno-stojkie-plis |
BQVR300RH / BQR2V1000RH / BQR2V3000RH / BQR2V6000RH | FPGA КНР | BMTI? | http://www.pec.ru/news/industry/?year=2017&month=4&id=780 |
ПАМЯТЬ | |||
1645РУ2Т | СОЗУ 64Кбит (8Кх8) | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/mikroskhemy_pamyati/operativnye_zapominayushchie_ustroystva/1645ru2t/ |
1645РУ5У | Микросхема асинхронного статического ОЗУ объемом 4Мбит | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/mikroskhemy_pamyati/operativnye_zapominayushchie_ustroystva/1645ru5u/ |
1655РР1Т | ЭСППЗУ FLASH типа | Интеграл | https://www.integral.by/ru/products/zapominayushchie-ustroystva-serii-541-1632-1635-1644-1642-1835pe2t-hh-9001rt1u-1655rr1t-25 |
1657РУ1У | КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 4 Мбит | ЭЛВИС | http://multicore.ru/index.php?id=1208 |
1659РУ1Т | ОЗУ статическое информационной емкостью 256 Кбит | Интеграл | https://www.integral.by/ru/products/zapominayushchie-ustroystva-serii-541-537-1632-1623-1617-1635-1644-1642-1669-9000-1835pe2t?product=1786 |
1666РЕ014 | Энергонезависимое оперативное запоминающее устройство (FRAM) информационной емкостью 1 Мбит | Интеграл | https://integral.by/ru/products/zapominayushchie-ustroystva-serii-541-537-1632-1623-1617-1635-1644-1642-1669-9000-2 |
1645РТ2У | Однократно программируемое ПЗУ | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/mikroskhemy_pamyati/postoyannye_zapominayushchie_ustroystva/1645rt2u/ |
5576РТ1У | Однократно программируемое ПЗУ, для ПЛИС | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/mikroskhemy_pamyati/postoyannye_zapominayushchie_ustroystva/5576rt1u/ |
1645РТ3У | Однократно программируемое ПЗУ | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/mikroskhemy_pamyati/postoyannye_zapominayushchie_ustroystva/1645rt3u/ |
Преобразователи | |||
1892КП1Я | SpaceWire коммутатор | ЭЛВИС | http://multicore.ru/index.php?id=1334 |
5559ИН27У, 5559ИН25У,5559ИН26У | микросхема приемопередатчика интерфейса RS-485 | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/interfeysnye_mikroskhemy/rs485-rs422/5559in27u/, https://ic.milandr.ru/products/interfeysnye_mikroskhemy/rs485-rs422/5559in25u/, https://ic.milandr.ru/products/interfeysnye_mikroskhemy/rs485-rs422/5559in26u/ |
5572ИН1У, 5572ИН2У | Шинный формирователь выходных уровней (микросхема для сопряжения) | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/interfeysnye_mikroskhemy/interfeysy/5572in1u/, https://ic.milandr.ru/products/interfeysnye_mikroskhemy/interfeysy/5572in2u/ |
1923НВ015 | преобразователь аналогового сигнала от аналоговых генераторов датчиков вольтового, миливольтового диапазонов, параметрических датчиков | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/atsp_i_tsap/1923nv015/ |
1923КХ014 | 64-канальный цифровой коммутатор | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/atsp_i_tsap/1923kkh014/ |
1923КН015 | 32-канальный аналоговый коммутатор | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/atsp_i_tsap/1923kn015/ |
1923КН014 | 64-канальный аналоговый коммутатор | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/atsp_i_tsap/1923kn014/ |
1310НМ025 | Микросхема двухканального 10-16 разрядного преобразователя сигналов датчиков перемещения | Миландр | https://ic.milandr.ru/products/atsp_i_tsap/1310nm025/ |
АЦП | |||
5112НВ035 | 14-ти разрядный, 50 МВыб/с АЦП конвейерного типа | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/adc/art/1655 |
5400ТР015-005 | 14-ти разрядный, 5 МВыб/с АЦП циклического типа | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/adc/art/1656 |
5400ТР045А-001 | 2-х канальный, 12-ти разрядный, 500 кВыб/с АЦП последовательного приближения | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/adc/art/1657 |
5400ТР045А-014 | 8-ми канальный, 12-ти разрядный, 500 кВыб/с АЦП последовательного приближения | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/adc/art/1658 |
ОКР «Обработка-15» | 14-, 12- и 10-разрядный | Ангстрем | http://www.angstrem.ru/ru/press-centre/news/angstrem-razrabotal-komplekt-sovremennyh-radiacionno-stoykih-mikroshem-dlya |
К1273ПВ10Т | 16-РАЗРЯДНЫЙ АЦП (АНАЛОГОВЫЙ ПРЕПРОЦЕССОР) Опытные образцы | «НИИЭТ» | https://niiet.ru/news/ap-1273 |
ЦАП | |||
5400ТР045А-002 | 2-х канальный, 12-ти разрядный ЦАП | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/dac/art/1607 |
5400ТР045А-022 | 16-ти разрядный последовательный цифро-аналоговый преобразователь | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/dac/art/1630 |
1583НА055А | рад. стойкий ЦАП с параллельным интерфейсом | НПО ФИЗИКА http://npofizika.ru/new_development | http://npofizika.ru/pdf/1583na045.pdf |
СХЕМЫ ПИТАНИЯ | |||
5400ТР045А-020, 5400ТР125-001 | Линейный регулятор напряжения настраиваемой положительной полярности | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/dc-dc-converters/art/1640, https://dcsoyuz.ru/products/dc-dc-converters/art/1641 |
1393ЕУ014 | Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/dc-dc-converters/art/1639 |
5400ТР085-001 | Синхронный контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/dc-dc-converters/art/1642 |
ОУ | |||
5400ТР045А-004 | Прецизионный операционный усилитель | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/analog/art/1589 |
5400ТР045А-015 | Быстродействующий компаратор | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/analog/art/1590 |
5400ТР045А-003 | Счетверенный rail-to-rail ОУ общего применения | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/analog/art/1643 |
5400ТР045А-031 ПАМС™ | Программируемая аналоговая микросхема ПАМС™ | "Союз", Зеленоград | https://dcsoyuz.ru/products/analog/art/1662 |
Серия 1494 | серия радиационно-стойких широкополосных операционных усилителей | Ангстрем | http://www.mforum.ru/news/article/119900.htm |
1432УД5Р1 | малошумящие операционные усилители с обратной связью по напряжению | ПУЛЬСАР | http://pulsarnpp.ru/images/imagespulsar/4otd/1432UD5.pdf |
ФАПЧ | |||
1288ПЛ1У | ФАПЧ | ЭЛВИС | http://multicore.ru/index.php?id=1360 |
Мультиплексоры | |||
5023КН015 | 32-КАНАЛЬНЫЙ АНАЛОГОВЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР | Ангстрем | http://www.technounity.ru/uchastniki/produkty/mikroskhema-analogovogo-32-kanalnogo-multipleksora-5023kn015-65/ |
Comment